Infineon IGBT / 50 A Gemeinsamer Emittent, 1200 V 20 mW, 35-Pin EasyPIM Typ N-Kanal Panel
Technische Daten
- Anzahl an Transistoren
- 6
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)
- 20 V
- Gehäusegröße
- EasyPIM
- Höhe
- 15.5mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 1200V
- Konfiguration
- Gemeinsamer Emittent
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
- 1.5V
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 20mW
- Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)
- 50A
- Montageart
- Panel
- Pinanzahl
- 35
- Produkt Typ
- IGBT
Produktbeschreibung
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic = 50A
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 1200V
Maximale Verlustleistung Pd = 20mW
Gehäusegröße = EasyPIM
Montageart = Panel
Kabelkanaltyp = Typ N
Pinanzahl = 35
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO = 20 V°C
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 107.5mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
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