Infineon IGBT / 50 A, 650 V 270 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche
Technische Daten
- Anzahl an Transistoren
- 1
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)
- ±20 ±30 V
- Gehäusegröße
- TO-263
- Höhe
- 4.57mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 650V
- Länge
- 10.31mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
- 1.65V
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 270W
- Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)
- 50A
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- IGBT
Produktbeschreibung
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic = 50A
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 650V
Maximale Verlustleistung Pd = 270W
Gehäusegröße = TO-263
Pinanzahl = 3
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO = ±20 ±30 V
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 10.31mm
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
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