Infineon IGBT / 35 A, 1200 V 20 mW, 23-Pin Modul Typ N-Kanal Fahrgestell

Name: Infineon IGBT / 35 A, 1200 V 20 mW, 23-Pin Modul Typ N-Kanal Fahrgestell
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: FP35R12N2T7BPSA1

Produkt-Nr.: P-DRDSH2-DR2K46

Technische Daten

Anzahl an Transistoren: 7
Betriebstemperatur min.: -40°C
Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO): 20 V
Gehäusegröße: Modul
Höhe: 21.3mm
Kabelkanaltyp: Typ N
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo): 1200V
Länge: 107.5mm
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT)): 1.6V
Maximale Verlustleistung (Pd): 20mW
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic): 35A
Montageart: Fahrgestell
Pinanzahl: 23
Produkt Typ: IGBT

Produktbeschreibung

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic) = 35A
Produkt Typ = IGBT
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo) = 1200V
Maximale Verlustleistung (Pd) = 20mW
Anzahl an Transistoren = 7
Gehäusegröße = Modul
Montageart = Fahrgestell
Kabelkanaltyp = Typ N
Pinanzahl = 23
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT)) = 1.6V
Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO) = 20 V
Betriebstemperatur min. = -40°C
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Höhe = 21.3mm
Länge = 107.5mm <br