Infineon IGBT / 35 A, 1200 V 20 mW, 23-Pin Modul Typ N-Kanal Fahrgestell

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

7

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)

20 V

Gehäusegröße

Modul

Höhe

21.3mm

Kabelkanaltyp

Typ N

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

1200V

Länge

107.5mm

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))

1.6V