Infineon IGBT / 25 A Gemeinsamer Emittent, 1200 V 160 W, 23-Pin AG-ECONO2B-311 Typ N-Kanal Panel

Name: Infineon IGBT / 25 A Gemeinsamer Emittent, 1200 V 160 W, 23-Pin AG-ECONO2B-311 Typ N-Kanal Panel
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: FP25R12KT4BPSA1

Produkt-Nr.: P-DRFMGT-DRV74N

Technische Daten

Anzahl an Transistoren: 7
Betriebstemperatur min.: -40°C
Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO): 20 V
Gehäusegröße: AG-ECONO2B-311
Höhe: 17mm
Kabelkanaltyp: Typ N
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo): 1200V
Konfiguration: Gemeinsamer Emittent
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT)): 2.25V
Maximale Verlustleistung (Pd): 160W
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic): 25A
Montageart: Panel
Pinanzahl: 23
Produkt Typ: IGBT

Produktbeschreibung

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic) = 25A
Produkt Typ = IGBT
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo) = 1200V
Maximale Verlustleistung (Pd) = 160W
Anzahl an Transistoren = 7
Konfiguration = Gemeinsamer Emittent
Gehäusegröße = AG-ECONO2B-311
Montageart = Panel
Kabelkanaltyp = Typ N
Pinanzahl = 23
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT)) = 2.25V
Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO) = 20 V
Betriebstemperatur min. = -40°C
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 17mm <br