Infineon IGBT / 20 A, 600 V 110 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)

20 V

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ N

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

600V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))

2.05V

Maximale Verlustleistung (Pd)

110W

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)

20A

Montageart

Oberfläche