Infineon IGBT, 1200 V 20 mW
Technische Daten
- Automobilstandard
- Nein
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)
- 20 V
- Höhe
- 17mm
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 1200V
- Länge
- 122mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 20mW
- Normen/Zulassungen
- RoHS
- Produkt Typ
- IGBT
- Serie
- FP200R12N3T7B11B
Produktbeschreibung
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 1200V
Maximale Verlustleistung Pd = 20mW
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO = 20 V
Breite = 62.5 mm
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
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