Infineon IGBT / 1200 A Halbbrücke, 1700 V 1200 kW Typ N-Kanal Schraubanschlussklemme

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

2

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)

20 V

Höhe

40mm

Kabelkanaltyp

Typ N

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

1700V

Konfiguration

Halbbrücke

Länge

140mm

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))

3V