Infineon IDM10G120C5 Oberfläche Schaltdiode Schottky-Diode Siliziumkarbid-Schottky-Diode, 1200 V / 18 A, 2-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Diodenkonfiguration
- Siliziumkarbid-Schottky-Diode
- Gehäusegröße
- TO-252
- Gleichrichter-Typ
- Schottky-Diode
- Höhe
- 2.35mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Durchlassspannung (Vf)
- 2.6V
- Maximaler Dauerdurchlassstrom (If)
- 18A
- Montageart
- Oberfläche
- Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom (Ifsm)
- 99A
- Pinanzahl
- 2
- Produkt Typ
- Schaltdiode
- Serie
- IDM10G120C5
- Spitzen-Sperrspannung periodisch (Vrrm)
- 1200V
- Spitzensperrstrom (Ir)
- 320μA
Produktbeschreibung
Die Infineon SiC Schottky-Diode besteht aus revolutionärem Halbleitermaterial. Er wird hauptsächlich in unterbrechungsfreier Stromversorgung, Leistungsfaktorkorrektur und Solarwechselrichtern verwendet.Erweiterte Stoßstrombelastbarkeit Bleifrei RoHS-konform
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Schottky-Dioden und Gleichrichter
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