Infineon IAUT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 165 A, 8-Pin HSOF

Technische Daten

Automobilstandard

AEC-Q101

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

80V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

2.9mΩ

Gehäusegröße

HSOF

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

165A

Montageart

Oberfläche

Normen/Zulassungen

No

Pinanzahl

8