Infineon IAUAN04S7N005 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 455 A 198 W, 5-Pin PG-HSOF-5-1

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.51mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.8V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

110nC

Gehäusegröße

PG-HSOF-5-1

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

455A

Maximale Betriebstemperatur

175°C