Infineon IAUA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A 81 W, 8-Pin PG-HSOF-5
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 40V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 1.4mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 80nC
- Gehäusegröße
- PG-HSOF-5
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 120A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 81W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- IAUA
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 120A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 40V
Gehäusegröße = PG-HSOF-5
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 1.4mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 80nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = RoHS
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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