Infineon IAU Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 310 A 325 W, 4-Pin PG-HSOG-4-1

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

2.1mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.9V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

142nC

Gehäusegröße

PG-HSOG-4-1

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

310A

Maximale Betriebstemperatur

175°C