Infineon Hochgeschwindigkeits-Power-MOSFET- und IGBT-Treiber MOSFET 290 mA 2 8-Pin DSO 25V 80 ns

Technische Daten

Abfallzeit

80ns

Anstiegszeit

150ns

Anzahl der Treiber

2

Ausgangsstrom

290mA

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gehäusegröße

DSO

Höhe

1.72mm

Länge

4.9mm

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Maximale Versorgungsspannung

25V