Infineon Hochgeschwindigkeits-Power-MOSFET- und IGBT-Treiber MOSFET 290 mA 2 8-Pin DSO 25V 80 ns

Der Infineon 2ED2109S06F ist ein Hochgeschwindigkeits-MOSFET- und IGBT-Treiber mit unabhängigen, auf der Hoch- und Niederspannungsseite referenzierten Ausgangskanälen. Es basiert auf SOI-Technologie und bietet eine ausgezeichnete Robustheit und Störfestigkeit mit der Fähigkeit, die Betriebslogik bei negativen Spannungen von bis zu - 11 Von VS-Pin bei transienter Spannung aufrechtzuerhalten. Die Ausgangstreiber verfügen über eine hohe Impulsstrom-Pufferstufe, die für minimale Treiber-Querleitung ausgelegt ist.Veränderlicher Kanal für Bootstrap-Betrieb Betriebsspannungen (VS-Knoten) bis zu +650 V Maximale Bootstrap-Spannung (VB-Knoten) von + 675 V. Integrierte, ultraschnelle Bootstrap-Diode mit niedrigem Widerstand