Infineon Hochgeschwindigkeits-Power-MOSFET- und IGBT-Treiber Gate-Treiber 130 mA 1 8-Pin SOIC 600V 90 ns

Der Infineon 600-V-Halbbrückentreiber-IC mit typischer 0,21-A-Quelle und 0,36-A-Senkenströmen in 8-adristiger SOIC-Gehäuse für IGBTs und MOSFETs.Veränderlicher Kanal für Bootstrap-Betrieb Voll betriebsfähig bis +600 V Tolerant gegenüber negativer Überspannung dV/dt immun Gate-Ansteuerungs-Versorgungsspannung von 10 V bis 20 V Unterspannungsverriegelung Kompatibel mit 3,3-V-, 5-V- und 15-V-Eingangslogik Stromkreuzung-Verhütungslogik Intern eingestellte Totzeit High-Side-Ausgang in Phase mit Eingang Abschalteingang schaltet beide Kanäle aus Angepasste Laufzeit für beide Kanäle