Infineon Hochgeschwindigkeits-Power-MOSFET- und IGBT-Treiber Gate-Treiber 130 mA 1 8-Pin SOIC 600V 90 ns

Technische Daten

Abfallzeit

90ns

Anstiegszeit

170ns

Anzahl der Treiber

1

Ausgangsstrom

130mA

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gehäusegröße

SOIC

Höhe

1.75mm

Länge

5mm

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Versorgungsspannung

600V