Infineon HEXFET Typ P, Typ N-Kanal 2 MOSFET -55 V / 4.7 A 2 W, 8-Pin SOIC

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

-55V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.11mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-1.2V

Gehäusegröße

SOIC

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

4.7A

Maximale Betriebstemperatur

175°C