Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 19 A, 3-Pin TO-263

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Channel-Modus

Erweiterung

Distrelec Product Id

304-41-670

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

55V

Durchlassspannung (Vf)

1.3V

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

19A

Montageart

Oberfläche

Normen/Zulassungen

No