Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 18 A 57 W, 3-Pin TO-252

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

55V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

110mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-1.6V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

32nC

Gehäusegröße

TO-252

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

18A

Maximale Betriebstemperatur

150°C