Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 11 A 38 W, 3-Pin TO-252

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

55V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

175mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-1.6V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

19nC

Gehäusegröße

TO-252

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

11A

Maximale Betriebstemperatur

150°C