Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 5.4 A 2.5 W, 8-Pin SOIC

Name: Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 5.4 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRF9335TRPBF

Produkt-Nr.: P-DRFGX8-DR377T

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 30V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 110mΩ
Durchlassspannung (Vf): -1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 9.1nC
Gehäusegröße: SOIC
Kabelkanaltyp: Typ P
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 5.4A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 2.5W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: HEXFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 5.4A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Gehäusegröße = SOIC
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 110mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 2.5W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 5mm
Automobilstandard = Nein