Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / -3.6 A 1.8 W, 8-Pin SOIC

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

-30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

150mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

20nC

Gehäusegröße

SOIC

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

-3.6A

Maximale Betriebstemperatur

150°C