Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 16 A 2.5 W, 8-Pin SOIC

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

10.2mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

61nC

Gehäusegröße

SOIC

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

16A

Maximale Betriebstemperatur

150°C