Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 7.2 A 9.6 W, 6-Pin PQFN

Name: Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 7.2 A 9.6 W, 6-Pin PQFN
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRLHS2242TRPBF

Produkt-Nr.: P-DRFGYT-DR378D

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 20V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 53mΩ
Durchlassspannung (Vf): -1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 12nC
Gehäusegröße: PQFN
Kabelkanaltyp: Typ P
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 7.2A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 9.6W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 6
Produkt Typ: MOSFET
Serie: HEXFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 7.2A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 20V
Gehäusegröße = PQFN
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 53mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 9.6W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 0.95mm
Automobilstandard = Nein