Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 4.3 A 1.3 W, 3-Pin Mikro

Name: Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 4.3 A 1.3 W, 3-Pin Mikro
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRLML6401TRPBF

Produkt-Nr.: P-DRL4VK-DRWJTC

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 12V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 50mΩ
Durchlassspannung (Vf): -1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 10nC
Gehäusegröße: Mikro
Kabelkanaltyp: Typ P
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 4.3A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 1.3W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: HEXFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 4.3A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 12V
Gehäusegröße = Mikro
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 50mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 1.3W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 1.02mm
Automobilstandard = Nein