Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 23 A 110 W, 3-Pin TO-263

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

117mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-1.6V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

73nC

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

23A

Maximale Betriebstemperatur

150°C