Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 13 A 66 W, 3-Pin TO-252

Name: Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 13 A 66 W, 3-Pin TO-252
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRFR5410TRLPBF

Produkt-Nr.: P-DRFNNT-DR3SDW

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 100V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 205mΩ
Durchlassspannung (Vf): -1.6V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 58nC
Gehäusegröße: TO-252
Kabelkanaltyp: Typ P
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 13A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 66W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: HEXFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 13A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 100V
Gehäusegröße = TO-252
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 205mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 58nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = No
Automobilstandard = Nein