Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-252

Name: Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-252
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: AUIRFR5305TRL

Produkt-Nr.: P-DRCS8M-DRVHKW

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 55V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 65mΩ
Durchlassspannung (Vf): -1.3V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 63nC
Gehäusegröße: TO-252
Kabelkanaltyp: Typ P
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 31A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 110W
Montageart: Oberfläche
Normen/Zulassungen: No
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: HEXFET

Produktbeschreibung

Der für die Automobilindustrie qualifizierte einkanalige HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon in einem D2-pak-Gehäuse. Das Mobilfunkdesign von Leistungs-MOSFETs nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Er wird aufgrund der schnellen Schaltgeschwindigkeit und des robusten Geräts in der Automobilindustrie und in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt.Advanced Planar Technology Dynamische dV/dT-Nennleistung 175 °C Betriebstemperatur Schnelle Schaltgeschwindigkeit Ohne Leitung RoHS-konform

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