Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 20 A 79 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 55V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 170mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- -1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 47nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kabelkanaltyp
- Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 20A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 79W
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- No
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- HEXFET
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 20A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 55V
Gehäusegröße = TO-252
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 170mΩ
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 47nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = No
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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