Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET / 5 A, 8-Pin SO-8

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.13Ω

Durchlassspannung (Vf)

-1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

27nC

Gehäusegröße

SO-8

Höhe

1.75mm

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

5A

Länge

5mm

Montageart

Oberfläche