Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 13 A 110 W, 3-Pin TO-263
Technische Daten
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 150V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 290mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- -1.6V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 44nC
- Gehäusegröße
- TO-263
- Höhe
- 4.83mm
- Kabelkanaltyp
- Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 13A
- Länge
- 10.67mm
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 110W
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- No
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- HEXFET
Produktbeschreibung
Der Leistungs-MOSFET der Infineon IRF-Serie mit einem P-Kanal. Dieser MOSFET nutzt Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Er ist für Hochstromanwendungen geeignet.Schnelle Schaltgeschwindigkeit P-Kanal Betriebstemperatur von 175 °C
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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