Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 9.3 A 2.5 W, 8-Pin SOIC

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

80V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

15mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.3V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

35nC

Gehäusegröße

SOIC

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

9.3A

Maximale Betriebstemperatur

150°C