Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 30 A 96 W, 4-Pin PQFN

Das Infineon Design von HEXFET ® Leistungs-MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für ″Feldeffekttransistoren von Metalloxid-Halbleiter-Transistoren″. MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. ″Feldeffekt″ bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.Niedriger RDSon (<1,15 mΩ) Niedriger Wärmewiderstand zur Leiterplatte (<0,8 °C/W) 100 % Rg geprüft Flache Bauweise (<0,9 mm)