Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 269 A 375 W, 7-Pin TO-263
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 75V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 2mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 428nC
- Gehäusegröße
- TO-263
- Höhe
- 9.65mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 269A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 375W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 7
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- HEXFET
Produktbeschreibung
Der Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie mit einem N-Kanal. Integriert mit 7-poligem D2PAK-Gehäuse (TO-263 7-polig).Bleifrei, RoHS-konform
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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