Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 246 A 375 W, 3-Pin TO-263

Name: Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 246 A 375 W, 3-Pin TO-263
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRFS7730TRLPBF

Produkt-Nr.: P-DRFGYR-DR378B

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 75V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 2.6mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 271nC
Gehäusegröße: TO-263
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 246A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 375W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: HEXFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 246A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 75V
Gehäusegröße = TO-263
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 2.6mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 375W
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Höhe = 4.83mm
Automobilstandard = Nein