Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 71 A 99 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 60V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 7.9mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 58nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 71A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 99W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- HEXFET
Produktbeschreibung
Kabelkanaltyp = Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 71A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Serie = HEXFET
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 7.9mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 99W
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = Nomm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043397795
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