Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 68 A 63 W, 9-Pin DirectFET

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

7mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.3V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

35nC

Gehäusegröße

DirectFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

68A

Maximale Betriebstemperatur

175°C