Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 293 A 375 W, 8-Pin TO-263

Name: Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 293 A 375 W, 8-Pin TO-263
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRFS3006TRL7PP

Produkt-Nr.: P-DRFGYK-DR3774

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 60V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 2.1mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.3V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 200nC
Gehäusegröße: TO-263
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 293A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 375W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: HEXFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 293A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Serie = HEXFET
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 2.1mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 375W
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 10.67mm
Automobilstandard = Nein