Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 270 A 380 W, 3-Pin TO-263
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 60V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 2.8mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.3V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 91nC
- Gehäusegröße
- TO-263
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 270A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 380W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- HEXFET
Produktbeschreibung
Kabelkanaltyp = Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 270A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Gehäusegröße = TO-263
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 2.8mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 380W
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = Nomm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043398143
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