Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 21 A 30 W, 6-Pin DirectFET

Die Infineon Automotive DirectFET ® -Leistungs-MOSFET-Serie hat eine maximale Drain-Quellspannung von 60 V mit 20 A maximalem Dauerstromstrom in einem DirectFET Small Can Gehäuse. Der AUIRF7640S2TR/TR1 kombiniert die neueste KFZ-HEXFET ® -Leistungs-MOSFET-Siliziumtechnologie mit der Advanced DirectFET ® -Verpackungsplattform, um ein erstklassiges Teil für Audioverstärkeranwendungen der Klasse D zu produzieren. Das DirectFET ® -Gehäuse ist kompatibel mit vorhandenen Layoutgeometrien, die in Stromversorgungsanwendungen, Leiterplattenmontagegeräten und Dampfphasen-, Infrarot- oder Konvektionslötverfahren verwendet werden, wenn der Anwendungshinweis AN-1035 bezüglich der Herstellungsmethoden und -verfahren befolgt wird. Das DirectFET ® -Gehäuse ermöglicht eine zweiseitige Kühlung zur Maximierung der Wärmeübertragung in Kfz-Stromversorgungssystemen.Fortschrittliche Verfahrenstechnologie Optimiert für Audioverstärker der Klasse D und Hochgeschwindigkeitsschalten Anwendungen Niedrige Rds (ein) für verbesserte Effizienz Wiederholte Lawinenfähigkeit für Robustheit und Zuverlässigkeit Bleifrei, RoHS- und halogenfrei