Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A 2.5 W, 8-Pin SOIC

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

9.4mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.3V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

26nC

Gehäusegröße

SOIC

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

12A

Maximale Betriebstemperatur

150°C