Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 156 W, 8-Pin PQFN

Name: Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 156 W, 8-Pin PQFN
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRFH5006TRPBF

Produkt-Nr.: P-DRFGYC-DR377W

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 60V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 4.1mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.3V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 69nC
Gehäusegröße: PQFN
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 100A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 156W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: HEXFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 100A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Gehäusegröße = PQFN
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 4.1mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 156W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 0.85mm
Automobilstandard = Nein