Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 56 A 110 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 55V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 160kΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.3V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 110nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 56A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 110W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- HEXFET
Produktbeschreibung
Das Infineon Design der HEXFET ® Leistungs-MOSFETs von International Rectifier nutzt Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.Fortschrittliche Verfahrenstechnologie Dynamische dv/dt-Bewertung Fast Switching Voll-Avalanche-Bewertung
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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