Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 5.1 A, 4-Pin SOT-223

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

55V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.075Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.3V

Gehäusegröße

SOT-223

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

5.1A

Montageart

Oberfläche

Normen/Zulassungen

No