Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 29 A, 3-Pin TO-263

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Channel-Modus

Erweiterung

Distrelec Product Id

304-41-681

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

55V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.075Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.3V

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

29A

Montageart

Oberfläche