Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 110 A 200 W, 3-Pin TO-263

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

55V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

8mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.3V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

146nC

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

110A

Maximale Betriebstemperatur

175°C