Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 9 A 2.5 W, 8-Pin SO-8

Name: Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 9 A 2.5 W, 8-Pin SO-8
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRF7469TRPBF

Produkt-Nr.: P-DRF4F7-DRSPWS

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 40V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 21mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 39nC
Gehäusegröße: SO-8
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 9A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 2.5W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: HEXFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 9A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 40V
Gehäusegröße = SO-8
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 21mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 39nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 4.9mm
Automobilstandard = Nein