Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 557 A 416 W, 7-Pin TO-263

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.65mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

307nC

Gehäusegröße

TO-263

Höhe

4.83mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

557A

Maximale Betriebstemperatur

175°C