Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 523 A 375 W, 7-Pin TO-263
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 40V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 0.69mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.3V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 305nC
- Gehäusegröße
- TO-263
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 523A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 375W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 7
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- HEXFET
Produktbeschreibung
Die Infineon HEXFET Leistungs-MOSFETs verwenden die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieses Designs sind 175 °C Sperrschichtbetriebstemperatur, schnelle Schaltgeschwindigkeit und verbesserte sich wiederholende Lawineneinstufung. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in Kfz-Anwendungen und einer Vielzahl anderer Anwendungen.Fortschrittliche Verfahrenstechnologie Neuer extrem niedriger Einschaltwiderstand Kfz-zugelassen
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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